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製品の詳細
高電力損傷閾値、低圧電効果、低挿入損失などの利点を満たすために、BBOベースのPockels電池のBPR線を設計した。ipoの高速スイッチング電子ドライバにより動作し、bprデバイスは高出力と高パルス繰返し周波数レーザに一流の工業用レーザ信頼性と性能を提供し、波長は190 Nmから2.2μmまで。
我々のBPRデバイスは、単結晶と双結晶設計を含むPockels効果に依存しており、Qスイッチ、パルスピックアップ、キャビティ傾倒などの応用に実用的な価値を持たせている。BBOの低電気光学係数、特に大孔径（>3.6 mm）の高圧要求を補償するために、私たちの双結晶はスイッチング電圧の半分を設計し、スイッチング回数と繰り返し周波数を速めるのに有利である。
仕様は次のとおりです。
特徴：
Piezo効果への大きな抑制
高伝送率、低挿入損失
広帯域動作波長（190 nm ~ 2.2μm）
高損傷閾値（すなわち：＠1064 nm，0.5GW/cm2，10 ns；50 GW/cm2，1ps；200 GW/cm2，100 fs)
構造は信頼性があり、電力は100 Wに達することができ、高圧パルスの繰返し周波数は2 MHzに達することができる。
低熱レンズ効果と熱誘起分極現象。
適用：
高繰り返し周波数のQ調整に適しています。ピコ秒再生増幅器とフェムト秒再生増幅器のパルス結合には、パルスピックアップと光スイッチが適用される。
仕様は次のとおりです。
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| 2.6 | 3.6 | 5.6 | |||
| 1 | 2 | 1 | 2 | 2 | |
| 3600 | 1800 | 4800 | 2400 | 3800 | |
| 1000:1 | 500:1 | 1000:1 | 500:1 | 500:1 | |
| >99 | |||||
| 4 | |||||
特徴：
Piezo効果への大きな抑制
適用：
高繰り返し周波数のQ調整に適しています。ピコ秒再生増幅器とフェムト秒再生増幅器のパルス結合には、パルスピックアップと光スイッチが適用される。
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